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晶體管類型：NPN 集射極擊穿電壓(Vceo)：50V 集電極電流(Ic)：3A 功率(Pd)：1.4W 集電極截止電流(Icbo)：100nA 集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib)：370mV@3A,300mA 直流電流增益(hFE@Ic,Vce)：300@1A,2V 特征頻率(fT)：100MHz 工作溫度：+150℃@(Tj)